【電腦運行記憶體叫什麼】的用途為何 |電腦記憶體 |電腦記憶體 |
如果您想知道 RAM 功能是什麼、電腦運作方式和什麼可能需要透過升級才能提升電腦效能，請繼續閲讀本文！
RAM（代表存取記憶體）是存取記憶體縮寫，屬於電腦暫時儲存裝置，可供應用程式短期儲存和存取資料。擁有多 RAM 意味著此電腦可以瞬間存取和讀取多資料，而不用寫入硬碟
其中一個運作範例，您啟動電腦、檢查電子郵件和編輯試算表時，您幾種方式使用了記憶體：
從某方面，記憶體像是桌面，其空間允許您同時進行各種專案。桌面，能同時放在桌上紙張、文件夾和工作；這樣，您可以且鬆地取得所需資訊，需要檔案櫃（儲存硬碟）裡面翻找。
系統速度和效能安裝 RAM 數量有直接關係。如果您系統沒有足夠 RAM，則可能會出現、狀況，是您嘗試進行多工作業，或同時開啟數個程式或應用程式。
如果您會因程式無回應、載入時間延遲，電腦情況感到，那麼 RAM 是原因。有幾種方式可以查看您電腦是否需要多記憶體，而且您可以自行升級桌上型電腦或筆記型電腦 RAM。
為避免使用者安裝不相容記憶體，每一代記憶體技術實體外觀不相同。這些外觀差異是整個記憶體產業標準，因此請確定您購買相容於主機板或其他元件記憶體。
RAM 效能重點速度延遲間關係。基本上，延遲指令輸入到系統展示相關資料之間時間差距。瞭解 RAM 速度和延遲有助於您自身需求，選擇適合 RAM 安裝於系統中。
無論您是遊戲玩家、設計師，或想要提升電腦速度，升級 RAM 是增強系統效能方式。如果想知道您電腦應該要使用哪種記憶體，請利用 Crucial® 系統選擇器軟體工具或系統掃描器。這些工具幫助您判斷您電腦哪一些記憶體模組相容，並為提供適合您速度需求和預算選項。
RAM 代表動態存取記憶體。於此技術可讓電腦暫存資料和存取資料，因此有「存取」名。過時儲存資料方法需要採用速度慢上許多循序存取技術。
計算機存儲器（英語：Computer memory）是一種利用半導體、磁性介質技術製成儲存資料電子裝置。其電子電路中資料二進制方式儲存，存儲器產品中基本單元名稱。
計算機存儲器可分為內部存儲器（稱內存或主存）和外部存儲器，其中內存是CPU能直接尋址儲存空間，半導體器件製成。內存特點是存取速率。我們使用程序，如Windows操作系統、打字軟件、遊戲軟件，是安裝硬盤外部記憶體上，但它們調入內存中運行，才能使用其功能，我們平時輸入一段文字，或玩一個遊戲，是內存中進行，數據產生後地內存外部記憶體進行讀寫。好比一個書房裏，存放書籍書架和書櫃相當於電腦外部記憶體，而我們工作辦公桌內存。我們要保存、大量數據儲存在外部記憶體上，而一些臨時或少量數據和程序放在內存上，內存會直接影響電腦運行速度。
存儲器二進制計算容量，基本單位是Byte：
電氣電子工程師協會（IEEE 1541）和歐洲聯盟(HD 60027-2:2003-03)標準，二進制乘數詞頭縮寫「Ki」、「Mi」、「Gi」，避免國際單位制混淆。但二進制乘數詞頭沒有製造業和個人採，標示4GB內存實際上是4GiB，但標示4.7GBDVD實際上是4.37GiB。
計算機存儲器（英語：Computer memory）是一種利用半導體、磁性介質技術製成儲存資料電子裝置。其電子電路中資料二進制方式儲存，存儲器產品中基本單元名稱。
計算機存儲器可分為內部存儲器（稱內存或主存）和外部存儲器，其中內存是CPU能直接尋址儲存空間，半導體器件製成。內存特點是存取速率。我們使用程序，如Windows操作系統、打字軟件、遊戲軟件，是安裝硬盤外部記憶體上，但它們調入內存中運行，才能使用其功能，我們平時輸入一段文字，或玩一個遊戲，是內存中進行，數據產生後地內存外部記憶體進行讀寫。好比一個書房裡，存放書籍書架和書櫃相當於電腦外部記憶體，而我們工作辦公桌內存。我們要保存、大量數據儲存在外部記憶體上，而一些臨時或少量數據和程序放在內存上，內存會直接影響電腦運行速度。
存儲器二進制計算容量，基本單位是Byte：
電氣電子工程師協會（IEEE 1541）和歐洲聯盟(HD 60027-2:2003-03)標準，二進制乘數詞頭縮寫「Ki」、「Mi」、「Gi」，避免國際單位制混淆。但二進制乘數詞頭沒有製造業和個人採，標示4GB內存實際上是4GiB，但標示4.7GBDVD實際上是4.37GiB。
聽説台灣有兩兆雙星「慘業」，一個 DRAM、一個面板。！DRAM 是什麼意思？DRAM 其實指我們在用記憶體。
記憶體有 SRAM、SDRAM、DDR 3、DDR 4、NOR Flash… 眼花撩亂。想知道現在 DRAM 、NAND Flash 價格什麼話，連「什麼是記憶體」要搞懂。
例如，最近價格到飛天 NAND Flash 閃記憶體是什麼意思？它是記憶體嗎？雖然名稱中有「記憶體」，但它角色其硬碟喔！
廣義上來説，有記憶功能硬體可以叫記憶體。那硬碟和記憶體有什麼？看完 馮紐曼架構 ，瞭解 CPU 和記憶體運作原理後，相信大家硬體元件有一些基本概念了，今天來和大家介紹一下：什麼是記憶體？什麼是硬碟？兩者差異哪？
我們講，記憶體有很多個位址（Address），有 CPU 會讀取、寫入記憶體，是「主記憶體」部分。
硬碟和記憶體差異，於電源關掉後、空間中儲存資料會會留著？
就算關掉電源，硬碟資料會消失！想想看你關機後，若開機、檔案會通通見嗎？
你可能會疑惑：但馮紐曼架構，「要執行程式和資料」不是要保存記憶體中嗎？沒錯，不過這是指電腦開啟後，硬碟「複製一部份資料」到記憶體裡面。
記得我們説過為什麼要 CPU 裡面設存器原因嗎？因為 CPU 要運算時，暫存器中抓資料、會跑到記憶體抓資料。
所以記憶體是為了跑「正在執行中程式和資料」，跑到硬碟中複製過來。CPU 記憶體中抓資料，和 CPU 透過記憶體、自己去硬碟抓資料，前者速度後者數百萬倍。（打開工作管理員，可以看到現在執行中程式佔掉記憶體空間。比如説像 Lynn 電腦記憶體只有 4 GB，常不小心開太多 Chrome 分頁會爆炸…）
所以來説，電腦運作像是辦公，喝飲料、看書本、聽音響… 想一次使用越多東西、桌面（記憶體）。但其他一時間沒有要用到東西，會放在抽屜（硬碟）裡面。
所以硬碟就算，你一次想執行多任務，是得要看記憶體大小。
重新整理一下——我們要運算資料時，如果 CPU 要直接從硬碟裡面抓資料，時間會太久。所以「記憶體」會作為中間橋梁，到硬碟裡面複製一份進來，讓 CPU 到記憶體中拿資料做運算。但只有記憶體夠了嗎？。
，還要！
記得我們 馮紐曼架構 一文中提到當家故事中，為大家解釋過 CPU 裡面有一個儲存空間，叫做暫存器。要運算時、CPU 會記憶體中資料載入暫存器、讓存器中存數字做運算，運算完結果存回記憶體中。
延伸閱讀…
CPU 和記憶體是兩片晶片，沒有同一片晶片裡直接抓資料。
但只要有 CPU 暫存器（ CPU 晶片內）、記憶體、硬碟，這三層這樣夠了嗎？
，還要！
所以我們 CPU 和記憶體之間，放一個「取」（Cache）作 CPU 和記憶體中間橋梁。來講，速度：CPU 裡面暫存器 > 取 > 記憶體 > 硬碟。
層（靠近 CPU），速度、價格、容量；像是現在花 3000 元可以買到 1 TB 硬碟，而 16 GB 記憶體達 5000 元。
儲存資料後是否需要供電，可分為揮發性和非揮發性：
揮發性（VOLATILE）：停止供應電源，記憶資料會消失。
動態記憶體（Dynamic Random Access Memory, DRAM）
靜態記憶體（Static Random Access Memory, SRAM）
非揮發性（NON-VOLATILE）：即使沒有供應電源，能保存寫入資料。
唯讀記憶體（Read Only Memory, ROM）
RAM 是 Random Access Memory 縮寫，意思是 CPU 能夠不用位址順序，而指定記憶體位址來讀取或寫入資料。
像人腦不是馮紐曼架構噢！因為人腦並存在到所有神經元距離相等 CPU，會因為神經元分佈離、而有傳輸速度上差異。但 CPU 到 RAM 所有記憶體位址距離是相等，讀取或寫入時、能地址順序，可以跳。（不過人類大腦應該是可以 XD 只差距離）
延伸閱讀…
事實上，我們上面講當家炒菜和桌面講到記憶體，是 RAM。所以 Lynn 電腦硬碟是 128 GB、RAM 只有 4 GB（多開幾個 Chrome 分頁會爆炸…）。
RAM 分成了 DRAM 和 SRAM。它們是做記憶體技術。聽人講什麼 DRAM 是兩兆雙星產業、三星是市佔 50% DRAM 大廠… 不要懷疑，他們講「記憶體」啦！
記住這個結論，然而是要知道什麼。
這是我們電腦中使用記憶體，説法應該叫「記憶體模組」（Memory Module）。一個記憶體模組一塊電路板、加上幾塊 DRAM 晶片構成。
圖示中記憶體模組上一共有 8 個 DRAM 晶片。讓我們一個 DRAM 晶片內部結構剖開看看，會看到一個儲存陣列（Memorry Array）。CPU 會這個儲存陣列「行地址」和「列地址」，可以選出一個「儲存單元」。
儲存單元包含了 4 bit 或 8 bit，每一個 bit 會採用一個電路結構，我們稱為 DRAM 一個「基本儲存單元」。這個基本儲存單元中包含了一個電晶體匹配一個電容。然後可以視電容器是否有充電電荷存在、來判別目前記憶狀態。
於電容會有漏電現象，導致電位差而使記憶消失，因此除非電容週期性地充電，否則確保資料能長保存起來。
每個 DRAM 基本儲存單元電路結構，所以功耗、價格。這樣低成本能製造出大儲存容量 DRAM 晶片。缺點讀寫速度慢（電容要充電、放電），影響了 DRAM 性能。
SRAM 結構複雜，一共有六個電晶體構成。我們能 M1、M2、M3 到 M6 進行標記。這六個電晶體合起來才能保存一個 bit。
SRAM 晶片和 DRAM 晶片，需要分成行地址和列地址選擇，而且 SRAM 設計來説，一個地址對應儲存單元數量可以是 8 bit、10 bit，或 32 bit、40 bit、64 bit 都行。
另外，電晶體開關速度電容充電放電速度，所以於 DRAM、SRAM 讀寫速度 DRAM 很多。
然而 SRAM 中要儲存一個 bit 得用到六個電晶體。電晶體數量一多、會造成晶片面積變大，從而帶來積體電路變得、有價格問題。
（SRAM 價格比起 DRAM 要達 1000 倍以上。比如 2010 年世代––SRAM 每單位儲存價格是 $60/MB，DRAM 是 $0.06/MB。）
每個電晶體要耗電，電晶體、功耗。考量到價格和功耗，目前只能在一些地方來使用 SRAM，比如上面提到取（Cache）。
所以目前「主記憶體」還是使用 DRAM 技術，但小塊用來拉速度「取」採用 SRAM。
然而無論是 DRAM 還是 SRAM，供應電源會喪失儲存資料，所以叫做揮發性記憶體。
ROM 是 Read Only Memory 縮寫。 雖然 ROM 不供應電源下、資料會消失，但上面電路是一開始設計規劃，資料是、不能做任何更改。因此 ROM 上資料只能讀取，而不能做任何寫入動作。
（不過上面是使用者情形。於工程師來説 ROM 還是可以寫入。只是有些有寫入次數限制，比如一兩次。）
Flash 稱為閃記憶體。 於具備了重量輕、體積小、功率低等優點，應用各類電子產品硬碟上。Flash 可以分成 NOR 型 Flash 和 NAND 型 Flash。